適用于電源關鍵型應用的超低功耗閃存嵌入式邏輯工藝，以及適用于低成本應用的單柵非易失性存儲器（NVM）[1]嵌入式工藝

東芝公司今天宣布，該公司已基于使用小于當前主流技術功率的65納米邏輯工藝開發(fā)了閃存嵌入式工藝，以及基于130納米邏輯及模擬電源工藝開發(fā)了單柵非易失性存儲器（NVM）工藝。將最佳工藝用于不同應用將使東芝能夠擴大其在微控制器、無線通信集成電路（IC）、電機控制驅動器和電源IC等領域的產(chǎn)品陣容。

130納米非易失性存儲器和65納米閃存的樣品出貨計劃分別于2015年第四季度和2016年第二季度啟動。 

目前，物聯(lián)網(wǎng)（IoT）市場在部分領域對低功耗有著強勁的需求，包括可穿戴和醫(yī)療保健相關的設備。作為回應，東芝采用了SST[2]的第三代SuperFlash?電池技術，以及其自有的65納米邏輯工藝技術。該公司還擁有微調電路和制造工藝，用于開發(fā)其超低功耗閃存嵌入式邏輯工藝。采用這種工藝的微控制器面向消費和工業(yè)應用推出，可將功耗降低至當前主流技術的約60%。 

繼首個系列的微控制器之后，東芝計劃于2016財年推出短距離無線技術——藍牙低功耗（BLE）產(chǎn)品——的樣品。該公司還計劃將65納米工藝應用于其無線通信IC產(chǎn)品系列，包括近場通信（NFC）控制器和非接觸式卡。這些無線通信IC產(chǎn)品系列可優(yōu)化利用低功耗特征。

除了具備低功耗優(yōu)勢外，該加工技術還有助于縮短開發(fā)時間，因為開發(fā)過程中應用軟件能夠輕松寫入和重新寫入閃存。 

通過對提供超低功耗的設備進行工程改造，以進一步促進專門的閃存外圍電路技術及邏輯和模擬電路技術的開發(fā)，東芝將滿足市場對低功耗應用持續(xù)增長的需求。該公司致力于以50μA/MHz操作為目標降低整個系統(tǒng)的功耗，以及面向物聯(lián)網(wǎng)開發(fā)創(chuàng)新產(chǎn)品。 

在關心成本是否顯著降低的應用方面，東芝已開發(fā)了一種NVM嵌入式工藝，這種工藝將YMC[3]的單柵多次編程（MTP）電池應用于東芝的130納米邏輯工藝技術中。

采用針對寫入時間的MTP規(guī)格可改善新工藝的性能，同時將掩膜圖案光刻中增加的步數(shù)限制在三步或更少，甚至為零。

NVM和模擬電路嵌在單一芯片上，可將多芯片系統(tǒng)通常執(zhí)行的多個功能整合。此舉可減少終端數(shù)量，以及實現(xiàn)更小型化封裝。

通過利用MTP來調整輸出精度，東芝將擴大其在高精度至關重要的領域的產(chǎn)品陣容，例如電源管理IC。

注：

[1] NVM：非易失性存儲器。

[2] SST：美國超捷半導體。美國微芯科技公司（Microchip Technology Inc.）的全資子公司。

[3] YMC Inc.：億而得微電子公司。一家臺灣的IP開發(fā)公司。

* SuperFlash?是美國微芯科技公司在美國及其他國家的注冊商標。