中國上海 2016年3月21日 日本半導體制造商株式會社東芝（Toshiba）旗下東芝半導體&存儲產(chǎn)品公司宣布，攜旗下領先的工業(yè)電子、物聯(lián)網(wǎng)應用及汽車電子等眾多技術和產(chǎn)品成功亮相2016年慕尼黑上海電子展。東芝本次參展的主題為“共筑‘安心’、‘安全’、‘舒適’的美好社會”，高度契合了中國發(fā)展的現(xiàn)狀和行業(yè)趨勢，受到了業(yè)內同仁們的一直好評；其憑借雄厚技術實力展出的面向工業(yè)、物聯(lián)網(wǎng)、汽車等應用的技術、產(chǎn)品和解決方案更是受到了到場觀眾們的追捧。

東芝已連續(xù)3年參加慕尼黑上海電子展，每次都帶來不斷創(chuàng)新的技術和產(chǎn)品。此屆展會東芝同樣舉辦了媒體見面會，邀請了業(yè)界各領域知名媒體，由東芝半導體&存儲產(chǎn)品公司技術營銷部總經(jīng)理兼技術營銷總監(jiān)吉本健先生、東芝電子（中國）有限公司董事長兼總經(jīng)理田中基仁先生、東芝電子亞洲有限公司副董事長野村尚司先生，向業(yè)內闡述東芝半導體對技術趨勢的理解、對應用市場的看法和對中國市場的規(guī)劃。

東芝電子（中國）有限公司董事長兼總經(jīng)理田中基仁先生說道：“東芝一直相信并堅持無論科技如何發(fā)展，它一定要落實到為人們生活提供服務，這也是我們此次提出‘共筑美好社會’的基石。東芝通過此次在工業(yè)、物聯(lián)網(wǎng)以及汽車電子等三個領域展出的技術和產(chǎn)品為‘共筑美好社會’提供了科技基礎。從社會體系到每一個人，東芝半導體的支持無所不在?！?

本次展出的明星產(chǎn)品有：

工業(yè)：面向電鐵、電力轉換、工業(yè)用變頻器的大型IGBT模塊；采用高效率高性能SiC的新一代功率半導體器件；有助于提高設備節(jié)能的低損耗MOSFET；廣泛應用于電源系統(tǒng)的分立器件產(chǎn)品線；通過硬件進行矢量引擎控制。

東芝此次參展產(chǎn)品的一大亮點是展出了采用第三代半導體技術的代表-SiC材料的器件。SiC具有大禁帶寬度、高臨界場強、高熱導率和高載流子飽和速率等特性，其品質因數(shù)遠遠超過了其他材料，因而成為制造高功率器件、高頻器件、高溫器件和抗輻照器件最重要的半導體材料。SiC材料在東芝產(chǎn)品中的廣泛使用將進一步夯實東芝在功率器件方面的領先優(yōu)勢，并且為未來發(fā)展奠定堅實的基礎。東芝目前將SiC材料應用在1000伏以上的工業(yè)、能源等大功率產(chǎn)品。

東芝在原有IGBT的基礎上通過采用“注入增強結構（IE：Injection Enhanced）”技術實現(xiàn)了低通態(tài)電壓，推出專利產(chǎn)品IEGT。由于其采用了SiC-SBD新材料，具有低導通電阻和低開關損耗等特性，實現(xiàn)了大功率變頻器的節(jié)能，而且其優(yōu)勢隨著大功率項目功率等級和電壓等級的不斷提高而逐步提升。IEGT控制的門極驅動電流小，它既能減少系統(tǒng)的損耗，也能提高元件的使用壽命，且IEGT調速空載時系統(tǒng)損耗低，符合綠色節(jié)能的要求，使得系統(tǒng)運行成本更為經(jīng)濟。東芝的IEGT已經(jīng)在為中國電力轉換設備實現(xiàn)高效、節(jié)能、輕小型的目標做出貢獻。

東芝的IEGT除采用了SiC材料之外，在封裝上還采用了PMI（塑料模塊）和東芝獨有的PPI（壓接式）兩種方式。塑料模塊式封裝采用螺紋連接，它具有方便拆卸的特性;壓接式封裝具有無焊層、無引線鍵合、雙面水冷散熱和失效短路的特點。這兩種封裝的采用，使得東芝的IEGT器件具有更低的熱阻、更高的工作結溫、更低的寄生電感、更寬的安全工作區(qū)和更高的可靠性，在減少器件的同時大幅提高了功率密度和系統(tǒng)可靠性。

東芝此次還帶來了市場份額第一的光耦器件，新的LED技術使得東芝的光耦得以滿足多種技術條件，如具備使用壽命長，可靠性高以及工作溫度高等特點，其原生的低功耗設計使得東芝的光耦更節(jié)能。其新的封裝形式可以使器件直接貼裝在PCB板的背面，為系統(tǒng)節(jié)約空間。

物聯(lián)網(wǎng)：業(yè)內領先的低功耗藍牙分布式網(wǎng)絡技術；具有48層堆疊技術的3D閃存BiCS FLASH?；具有高可靠性、且支持NVMeTM接口的新型單一封裝SSD；近距離無線通信技術TransferJet?；在世界79國取得認證的搭載無線LAN功能的SD存儲卡FlashAirTM；可處理各種傳感器數(shù)據(jù)的應用處理器ApP Lite?。