VisIC Technologies Ltd公司，汽車(chē)高壓應(yīng)用氮化鎵（GaN）器件的全球領(lǐng)導(dǎo)者，自豪地宣布其新的低導(dǎo)通電阻產(chǎn)品發(fā)布。針對(duì)電動(dòng)汽車(chē)逆變器應(yīng)用，此款產(chǎn)品將有助于提高電機(jī)控制器效率，降低整機(jī)制造成本。新的8毫歐姆產(chǎn)品是支持客戶和改進(jìn)電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的持續(xù)努力中的又一步驟。
8毫歐姆 D3GaN 功率開(kāi)關(guān)管
“與VisIC上一代產(chǎn)品相比，V8 產(chǎn)品將當(dāng)前功率提高了一倍，電阻降低了 2.5 倍。這將使我們的電動(dòng)汽車(chē)應(yīng)用客戶改進(jìn)其逆變器系統(tǒng)，在尺寸、功率和成本方面更高效地實(shí)現(xiàn)設(shè)計(jì)目標(biāo)。V8 產(chǎn)品是我們長(zhǎng)期努力提供基于 D3GaN 技術(shù)更好解決方案的又一進(jìn)步。新產(chǎn)品的改進(jìn)工作是和我們領(lǐng)先的客戶密切合作完成的，為電動(dòng)汽車(chē)的核心電氣驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)帶來(lái)有意義的改進(jìn)，高功率牽引逆變器應(yīng)用也可以此實(shí)現(xiàn)更高的功率密度。”VisIC市場(chǎng)營(yíng)銷(xiāo)高級(jí)副總裁蘭·索弗先生補(bǔ)充說(shuō)。
新產(chǎn)品的額定參數(shù)為 8毫歐姆、650伏特、200安培，與同類(lèi) IGBT 或 SiC 器件相比，在相同電流范圍內(nèi)可實(shí)現(xiàn)顯著降低的開(kāi)關(guān)損耗。客戶可以將該新產(chǎn)品集成到分立封裝和功率模塊設(shè)計(jì)中。這項(xiàng)新技術(shù)可節(jié)省功率損耗，特別是在大電流電動(dòng)汽車(chē)逆變器系統(tǒng)的功率循環(huán)測(cè)試中。
與現(xiàn)有的硅晶圓技術(shù)相比較，對(duì)于寬禁帶器件SiC和GaN來(lái)說(shuō)，制造更大電流的裸芯片非常有挑戰(zhàn)。由于D3 GaN平臺(tái)的精心設(shè)計(jì)，以及VisIC公司制造合作伙伴臺(tái)積電的卓越制造，使得200安培 GaN功率晶體管的突破成為可能。這一突破將使電動(dòng)汽車(chē)受益于GaN的高效技術(shù)，實(shí)現(xiàn)更具成本效益的電動(dòng)汽車(chē)設(shè)計(jì)，助力于更綠色和清潔的地球。
